博士，教授级高级工程师。1979年11月出生于江西萍乡。2001年获西安交通大学学士学位， 2006年获北京大学博士学位；其后在北京大学从事博士后工作，并于2008年赴日本名古屋工业大学从事财团特任研究员工作，2012年回国任广东半导体照明产业技术研究院副院长，2016年3月任广东省半导体产业技术研究院副院长（主持工作），2018年6月任广东省半导体产业技术研究院院长。2012年12月获教授级高级工程师职称。 

     陈志涛博士长期从事宽禁带半导体材料与器件技术开发，在材料生长、器件工艺、测试分析、器件应用等方面取得有一定意义的创新成果，部分成果获得实际应用。申请发明专利50余件，发表论文60余篇。 

     兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会秘书长，广东省半导体光源产业协会会长。

     部分论文列表：

1, High-Quality AlN Film Grown on Sputtered AlN/Sapphire via Growth-Mode Modification, Crystal Growth & Design, 18, 6816(2018) (通讯作者)

2，Performance enhancement of AlGaN-based 365 nm ultraviolet light-emitting diodes with a band-engineering last quantum barrier, Optics Letter，53, 515(2018) (通讯作者)

3, Visible light communication using dual camera on one smartphone, Optics Express, 26,346927(2018) (通讯作者)

4, High-Quality GaN Epilayers Achieved by Facet-Controlled Epitaxial Lateral Overgrowth on Sputtered AlN/PSS Templates, ACS：Applied Materials & Interfaces, 9, 43386(2017) (通讯作者)

5, Schottky Barrier Height Inhomogeneity-Induced Deviation From Near-Ideal Pd/InAlN Schottky Contact, IEEE Electron Device Letters, 32, 620(2011)  (第一作者)

6，Pd/InAlN Schottky diode with low reverse current by sulfide treatment，Applied Physics Letters, 99,183504(2011)  (第一作者)

7, Mechanism of ultrahigh Mn concentration in epitaxially grown wurtzite Ga1−xMnxN, Applied Physics Letters, 97, 222108(2010)  (第一作者)

8, Photoluminescence studies of high-quality InAlN layer lattice-matched to GaN grown by metal organic chemical vapor deposition, Applied Physics Letters, 96, 191911(2010)  (第一作者)

9, Effect of strain on quantum efficiency of InAlN-based solar-blind photodiodes, Applied Physics Letters, 95, 083504(2010)  (第一作者)

10, Improved performance of InAlN-based Schottky solar-blind photodiodes, Applied Physics Letters, 94, 213504(2010)  (第一作者)