TSV深硅刻蚀-微纳加工平台

曾老师 15018420573

曾老师 15018420573 广州市天河区长兴路363号

工艺能力

PROCESS CAPABILITY

镀膜工艺

磁控溅射电子束蒸发金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发热阻蒸发 PECVD LPCVD ALD沉积铜电镀台

一、信息详情：

设备型号：HSE M200

工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与硅材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。

用途：刻蚀硅柱、硅孔、硅光栅、MEMS等硅材料。

二、技术性能指标：

1.最高深宽比能力＞50:1

2.刻蚀硅与光刻胶选择比＞50:1，刻蚀速率＞8μm/min

3.侧壁粗糙度＜50nm，角度满足90±1°

4.8英寸晶圆往下兼容

5.片间均匀性＜5%，片内均匀性＜5%

版图设计-电子束曝光-紫外光刻深硅刻蚀-ICP刻蚀-IBE刻蚀
电子束蒸发-磁控溅射-热阻蒸发-LPCVD镀膜晶圆键合-快速退火-晶圆切割-CMP抛光

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版图设计-电子束曝光-紫外光刻

深硅刻蚀-ICP刻蚀-IBE刻蚀

电子束蒸发-磁控溅射-热阻蒸发-LPCVD镀膜

晶圆键合-快速退火-晶圆切割-CMP抛光