离子束刻蚀-微纳加工平台

镀膜工艺

磁控溅射电子束蒸发金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发热阻蒸发 PECVD LPCVD ALD沉积铜电镀台

一、信息详情：

设备名称：离子束刻蚀机

设备型号：IBE-200P

设备厂商：北京埃德万斯

工作原理：通过离子束直接对材料进行轰击刻蚀，或通过刻蚀将曝光形成的光刻胶图形转移至金属、介质、半导体晶圆。

用途：IBE基于高能离子束对物质表面进行精细刻蚀，具有高效、精确、可控和低损伤等优势，适用于微电子元件、MEMS器件、光子学元件和生物芯片等器件的制造。IBE具有广泛的材料适应性，可以刻蚀包括金属、介质材料、半导体在内的多种材料。

二、技术指标：

1.极限真空：≤9.0×10-5 Pa

2.抽到工作本底压强时间：≤30mins

3.离子源：考夫曼离子源

4.Ar+离子能量可调范围：0~1000eV

5.Ar+离子束流峰值：≥300mA

6.最大适合晶圆尺寸：8英寸

7.工作台旋转速率：0至20rpm

8.倾角调整范围：-90°至+90°

9.刻蚀不均匀性: ≤±5%

工 艺 能 力