晶圆键合-微纳加工平台

镀膜工艺

磁控溅射电子束蒸发金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发热阻蒸发 PECVD LPCVD ALD沉积铜电镀台

一、信息详情：

设备名称：晶圆键合机

设备型号：SB8 Gen 2

设备厂商：德国SUSS

用途：可满足阳极键合、金属扩散键合、共晶键合、临时键合、共熔键合等工艺。

二、技术性能指标：

1.兼容晶圆尺寸：8英寸、6英寸、4英寸、3英寸以及最小10*10mm晶圆对准及键合

2.最大厚度：圆片堆叠最大厚度≤6mm

3.腔室真空范围：5e-5mbar~3000mbar

4.加热温度范围：室温至500℃

5.温度均匀性：≤±1.5%，温控精度：≤±3℃

6.上、下基板升降温速率：1℃/min~30℃/min

7.下基板采用主动式降温，降温速率：1℃/min~25℃/min

8.压力范围：200N-20KN,范围内连续可调

9.压力控制精度：≤±2%，压力均匀性：≤±7.5%

工 艺 能 力