曾老师 15018420573 广州市天河区长兴路363号
首页 > 工艺能力 > 后道工艺 > CMP抛光

工 艺 能 力

PROCESS CAPABILITY

版图设计
版图设计
清洗工艺
酸碱清洗 有机清洗 晶圆甩干
光刻工艺
电子束曝光 接触式曝光 双面对准光刻 激光直写
刻蚀工艺
ICP刻蚀 TSV深硅刻蚀 离子束刻蚀 等离子体去胶
镀膜工艺
磁控溅射 电子束蒸发 金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发 热阻蒸发 PECVD LPCVD ALD沉积 铜电镀台
高温工艺
快速退火 高温合金
后道工艺
晶圆键合 CMP抛光 砂轮切割 硅晶圆激光切割 玻璃晶圆激光切割
辅助测量
光学轮廓仪 台阶仪 光学显微镜 四探针电阻率测量仪

一、信息详情：

设备名称： CMP抛光机

设备型号： AP-200

设备厂商：韩国CTS

工作原理：CMP结合了 化学腐蚀 和 机械研磨 的作用，通过化学反应和物理摩擦的协同效应，高效去除表面材料并实现纳米级平整度。

用途：用于实现晶圆表面的全局平坦化。

二、技术性能指标：

1. 兼容8寸、6寸、4寸

2. 抛光头摆动范围±15mm

3. 抛光头转速0-200rpm

4. 抛光头压力范围0.15-14psi

5. 抛光液流速20~500cc/min

6. CMP片内均匀性＜5%