曾老师 15018420573 广州市天河区长兴路363号
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工 艺 能 力

PROCESS CAPABILITY

版图设计
版图设计
清洗工艺
酸碱清洗 有机清洗 晶圆甩干
光刻工艺
电子束曝光 接触式曝光 双面对准光刻 激光直写
刻蚀工艺
ICP刻蚀 TSV深硅刻蚀 离子束刻蚀 等离子体去胶
镀膜工艺
磁控溅射 电子束蒸发 金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发 热阻蒸发 PECVD LPCVD ALD沉积 铜电镀台
高温工艺
快速退火 高温合金
后道工艺
晶圆键合 CMP抛光 砂轮切割 硅晶圆激光切割 玻璃晶圆激光切割
辅助测量
光学轮廓仪 台阶仪 光学显微镜 四探针电阻率测量仪

一、信息详情：

设备名称：SUSS双面光刻机 

设备型号：SUSS MA/BA8 GEN4

设备厂商：德国SUSS 公司

二、技术性能指标：

1.衬底尺寸：最大8英寸，兼容6，4，2英寸，最小10*10mm

2.光强大小：35mw/cm2@365nm 光强均匀性：优于±2.5%@8”

3.曝光模式：真空接触、硬接触、软接触、接近式曝光

4.正面显微镜分离距离调节范围29-203mm

5.背面显微镜分离距离调节范围15-203mm

6.正面光刻分辨率：0.8μm，背面光刻分别率1.1μm

7.最大晶圆厚度：6mm

8.可用于键合机晶圆对准