曾老师 15018420573 广州市天河区长兴路363号

工 艺 能 力

PROCESS CAPABILITY

版图设计
版图设计
清洗工艺
酸碱清洗 有机清洗 晶圆甩干
光刻工艺
电子束曝光 接触式曝光 双面对准光刻 激光直写
刻蚀工艺
ICP刻蚀 TSV深硅刻蚀 离子束刻蚀 等离子体去胶
镀膜工艺
磁控溅射 电子束蒸发 金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发 热阻蒸发 更多
高温工艺
快速退火 高温合金
后道工艺
晶圆键合 CMP抛光 砂轮切割 硅晶圆激光切割 玻璃晶圆激光切割
辅助测量
光学轮廓仪 台阶仪 光学显微镜 四探针电阻率测量仪
版图设计
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光刻工艺
电子束曝光 接触式曝光 双面对准光刻 激光直写
清洗工艺
酸碱清洗 有机清洗 晶圆甩干
刻蚀工艺
ICP刻蚀 TSV深硅刻蚀 离子束刻蚀 等离子体去胶
镀膜工艺
磁控溅射 电子束蒸发 金属电子束蒸发 ITO电子束蒸发 热阻蒸发 更多
后道工艺
晶圆键合 CMP抛光 砂轮切割 硅晶圆激光切割 玻璃晶圆激光切割
高温工艺
快速退火 高温合金
辅助测量
光学轮廓仪 台阶仪 光学显微镜 四探针电阻率测量仪

服 务 案 例

SERVICE CASES

利用光学曝光技术将掩膜版图形转移到光刻胶，或采用激光、电子束直写曝光。
光刻案例
光波导谐振器 纳米结构曝光 纳米级硅基光栅 GaN基超表面透镜 4层图形精准套刻 1um线条光刻 叉指电极光刻 不同孔径圆孔光刻
了解更多...
通过物理或化学工艺选择性去除材料，在晶圆上形成精密三维结构。
刻蚀案例
GaN材料刻蚀 GaN基超表面刻蚀 刻蚀案例纳米结构刻蚀 硅基超表面结构刻蚀 40比1高深宽比刻蚀 孔径3微米，15比1深宽比TSV刻蚀 刻蚀侧壁粗糙度低于40nm 硅针刻蚀
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采用气相沉积、电子束蒸发、磁控溅射等工艺在晶圆表面沉积功能性薄膜。
镀膜案例
铌酸锂晶圆金属化 砷化镓晶圆金属化 氧化硅片金属化 氮化硅片金属化氮化硅片金属化 硅片晶圆金属化 GaO透明材料 AlN压电材料 六元高熵合金膜材料六元高熵合金膜材料
了解更多...
通过粘接层或直接键合将晶圆材料临时或永久地键合在一起，形成复合晶圆。
键合案例
4英寸Au-Au键合 4英寸Au-Sn键合 6英寸阳极键合 8英寸阳极键合
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利用光学曝光技术将掩膜版图形转移到光刻胶，或采用激光、电子束直写曝光。
光刻案例
光波导谐振器 纳米结构曝光 纳米级硅基光栅 GaN基超表面透镜 4层图形精准套刻 1um线条光刻 叉指电极光刻 不同孔径圆孔光刻
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通过物理或化学工艺选择性去除材料，在晶圆上形成精密三维结构。
刻蚀案例
GaN材料刻蚀 GaN基超表面刻蚀 刻蚀案例纳米结构刻蚀 硅基超表面结构刻蚀 40比1高深宽比刻蚀 孔径3微米，15比1深宽比TSV刻蚀 刻蚀侧壁粗糙度低于40nm 硅针刻蚀
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采用气相沉积、电子束蒸发、磁控溅射等工艺在晶圆表面沉积功能性薄膜。
镀膜案例
铌酸锂晶圆金属化 砷化镓晶圆金属化 氧化硅片金属化 氮化硅片金属化氮化硅片金属化 硅片晶圆金属化 GaO透明材料 AlN压电材料 六元高熵合金膜材料六元高熵合金膜材料
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通过粘接层或直接键合将晶圆材料临时或永久地键合在一起，形成复合晶圆。
键合案例
4英寸Au-Au键合 4英寸Au-Sn键合 6英寸阳极键合 8英寸阳极键合
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信 息 资 讯

INFORMATION

硅基超表面加工 2025-06-20
半导体所在深紫外发光二极管的p-AlGaN欧姆接触制备方面取得进展 2025-04-15
半导体所研发出基于欧姆/肖特基混合接触的高性能肖特基势垒IGZO薄膜晶体管 2024-10-25

核 心 优 势

CORE ADVANTAGES

10 年

深耕器件制备工艺

1000 +

助力企业、高校、科研院所研发创新

5000 +

成功案例，积淀深厚
微纳加工平台自对外开放以来，凭借高效的反应速度、深厚的研发能力，良好的服务质量，立足于珠三角，辐射全国23个省市以及部分海外地区。