外延设备
Epitaxial equipment
CRIUS MOCVD
CRIUS MOCVD(金属有机化学气相沉积)，是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术，以有机化合物和氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
我院采用的MOCVD设备是德国爱思强（Aixtron）公司生产的CRIUS 31×2" CCS MOCVD系统，进行GaN系蓝绿光材料生长。该设备采用Thomas Swan的垂直式近耦合喷淋反应室，喷淋头与衬底之间的距离为十几厘米，同时喷淋头上喷孔密度高达15.5个/cm2，可以保证从两组相间的喷孔注入的Ⅲ族源和Ⅴ族源在到达衬底前可以充分混合。基座采用三组电阻加热，以保证温度均匀。
本设备生长的材料基本指标是为：
| U-doped GaN | 生长速率 | ≥2um/h |
| 外延厚度均匀度（Tstd/Tavg， Tstd 为厚度均方差，Tavg为厚度平均值） | <3% | |
| 背景载流子浓度@RT（Hall） | n<1×10e17cm-3 | |
| 载流子迁移率 | ≧300cm2/V·s | |
| 002面半峰宽@XRD | ≦300arcsec | |
| 102半峰宽@XRD | ≦400arcsec | |
| Si-doped GaN | 载流子浓度 | n≧2×10e18cm-3 |
| 载流子迁移率 | ≧250cm2/V·s | |
| 方阻均匀性 | s/x<3% | |
| p-GaN： | 载流子浓度 | p≧1×10e17cm-3 |
| 载流子迁移率 | ≧10cm2/V·s | |
| 电阻率 | ≦3Ω·cm | |
| AlGaN | 组分 | >20% |
| 组分均匀性 | Xmax-Xmin≦2% | |
| InGaN/GaN MQW | 波长 | 450-460nm |
| 片内波长均匀性 | ≦2nm | |
| 片间波长均匀性 | ≦3nm | |
| Run to Run均匀性 | ≦2nm |
托盘
