开展第三代半导体碳化硅单晶的生长研究工作，面向SiC电力电子器件和微波器件的需求，构建第三代半导体（SiC）晶体材料的研发平台，研制出高质量4-6英寸n型导电和半绝缘SiC衬底。

图1  实验室碳化硅单晶炉

碳化硅晶体生长炉主要用于物理气相传输法（PVT）生长大尺寸、高质量SiC 单晶。

图2   6英寸碳化硅晶片

中心追求更高的晶体质量和加工质量，也期待有志之士的加入。

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