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工艺能力-键合工艺

发布时间:2024年04月10日来源:广东省科学院半导体研究所

1晶圆键合机

一、信息详情:

设备名称:晶圆键合机 

设备型号:SB8 Gen 2

设备厂商:德国SUSS 

用途:可满足阳极键合、金属扩散键合、共晶键合、临时键合、共熔键合等工艺

二、技术性能指标:

1.兼容晶圆尺寸:8英寸、6英寸、4英寸、3英寸以及最小10*10mm晶圆对准及键合
2.
最大厚度:圆片堆叠最大厚度≤6mm
3.
腔室真空范围:5e-5mbar~3000mbar
4.
加热温度范围:室温至500℃
5.
温度均匀性:≤±1.5%,温控精度:≤±3℃
6.
上、下基板升降温速率:1℃/min~30℃/min
7.
下基板采用主动式降温,降温速率:1℃/min~25℃/min
8.
压力范围:200N-20KN,范围内连续可调
9.
压力控制精度:≤±2%,压力均匀性:≤±7.5%

三、联系方式:

曾工15018420573(微信同号)邮箱:zengzhaohui@gdisit.com