1、深硅刻蚀

一、信息详情：

设备型号：HSE M200

工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与硅材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。

用途：刻蚀硅柱、硅孔、硅光栅、MEMS等硅材料

二、技术性能指标：

1.最高深宽比能力＞50:1

2.刻蚀硅与光刻胶选择比＞50:1，刻蚀速率＞8μm/min

3.侧壁粗糙度＜50nm，角度满足90±1°

4.8英寸晶圆往下兼容

5.片间均匀性＜5%，片内均匀性＜5%

硅基超表面结构             刻蚀侧壁粗糙度低于40nm

三、联系方式：

曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com

2、ICP刻蚀机

一、信息详情：

设备名称：感应耦合等离子刻蚀机（ICP）

设备型号：PlasmaPro System 133 ICP380

设备厂商：英国牛津仪器

工作原理：采用高频辉光放电反应，将反应气体解离为活性粒子，如原子或自由基，通过电磁场加速，这些活性粒子扩散到需要刻蚀的部位，与刻蚀材料进行反应，生成易挥发的物质被去除。

用途：刻蚀GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料

二、技术性能指标：

1. ICP离子源：0-3000W；RF射频源：0-600W

2. 刻蚀气体：Cl2、BCl3、Ar、SF6、O2、CHF3

3.样品尺寸：27*2英寸、6*4英寸、1*6英寸

4.基底刻蚀温度： -20℃-80℃可调

5.  刻蚀均匀性：<±3%

三、联系方式：

曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com

3、等离子去胶机

一、信息详情：

设备名称：等离子去胶机

设备型号：PT-5S

设备厂商：深圳三和波达机电科技有限公司

工作原理：真空状态下，等离子作用在控制和定性方法下能够电离气体,利用真空泵将工作室进行抽真空达到30-40pa 的真空度，再在高频发生器作用下，将气体进行电离，形成等离子体。

用途：表面亲水性、拒水性高度清洁等各种表面改性。半导体工艺中主要用于光刻胶底膜去除。

二、技术性能指标：

1. 等离子射频频率为40KHZ，射频功率为200W，功率连续可调

2. N2、O2双路气体输入，气体流量109-100mL/min可调

3. 清洗时间1-6000秒可调

4. 真空度:30Pa-100Pa

5. 内腔尺寸：直径150mm×270mm

三、联系方式：

曾工15018420573（微信同号）邮箱：zengzhaohui@gdisit.com